在曩昔一年傍边我们现已比较了解了联发科的旗舰芯天玑1000+，其在错位竞赛的战略下疯暴烈击次旗舰对手，留下了适当浓墨重彩的一笔。而天玑1100正是天玑1000+的续作，是仅略低于天玑1200的次旗舰级芯片，仅仅被更为张狂的realme下放到了千元机上，算是将错位竞赛这一战略玩到了极致。

  天玑1100所选用的是台积电6nm制程工艺，其沿用了7nm工艺的规划规矩。台积电现在的7nm工艺有两个版别，第一代7nm(N7)选用传统DUV光刻技能，第二代7nm+(N7+)则是初次参加EUV极紫外光刻。

  6nm工艺也有EUV极紫外光刻技能，比较7nm+(N7+)增加了一个极紫外光刻层，一起比较7nm(N7)可将晶体管密度提高18％，并且规划规矩彻底兼容7nm(N7)，便于晋级搬迁，削减相关本钱，比较之下7nm+(N7+)则是另一套规划规矩。

  根据Geekbench的测验成果来看，搭载天玑1100的线 Pro比较较上代天玑1000+旗舰机型，在CPU单中心方面提高了10%，多中心方面提高约11%，毋庸置疑的旗舰级体现，在当下以及曩昔的千元机傍边简直没办法一见。